Với mục tiêu tìm ra các giải pháp hiệu quả để kiểm soát bệnh thối quả và hạn chế tổn thất sau thu hoạch trên quả chôm chôm, nhóm tác giả Thạch Thị Ngọc Yến, Nguyễn Văn Thành (Trường Đại học Cần Thơ) và Nguyễn Văn Phong (Viện Cây ăn quả miền Nam) đã thực hiện đề tài nghiên cứu về tác nhân gây bệnh sau thu hoạch trên quả chôm chôm ở Đồng bằng sông Cửu Long.
Chôm chôm là loại cây ăn quả nhiệt đới được ưa chuộng tại Việt Nam và được trồng nhiều ở một số tỉnh phía Nam với sản lượng lên đến 311.905 tấn. Tuy nhiên, chôm chôm tươi sau thu hoạch thường bị thất thoát nghiêm trọng do bệnh thối quả khiến chôm chôm nhanh hư hỏng, dẫn đến việc tiêu thụ gặp nhiều khó khăn. Do đó, việc xác định tác nhân gây bệnh và đánh giá một số đặc điểm sinh học của chôm chôm trong điều kiện in vitro để tìm ra giải pháp trị bệnh thối quả sau thu hoạch là việc làm cần thiết.
Các nhà nghiên cứu đã đưa chôm chôm Java thu hoạch ở độ chín thương mại từ các tỉnh Tiền Giang, Bến Tre và Vĩnh Long về bảo quản tại phòng thí nghiệm ở nhiệt độ phòng và nhiệt độ lạnh 130C. Khi chôm chôm có triệu chứng bệnh, các nhà nghiên cứu đã bắt đầu thực hiện các phương pháp gồm: phân lập xác định tác nhân gây bệnh thối quả chôm chôm sau thu hoạch; kiểm chứng các tác nhân gây bệnh theo quy trình Koch; đánh giá một số điều kiện môi trường nuôi cấy (nhiệt độ, pH và thành phần môi trường) đến sự sinh trưởng và phát triển của tác nhân gây bệnh.
Kết quả phân lập và định danh cho thấy bệnh thối quả chôm chôm sau thu hoạch là do 7 chủng nấm gây ra, trong đó gây thiệt hại nghiêm trọng nhất là 2 chủng Lasiadiplodia pseudotheobromae và Phomopsis mali. Tất cả các chủng nấm đều sinh trưởng tốt trong các môi trường PDA (potato dextrose agar), MEA (malt extract agar) và PCA (potato carrot agar), đồng thời có khoảng nhiệt độ ưa thích từ 25 – 300C và độ pH từ 6 - 8. Bên cạnh đó, chủng nấm Lasiadiplodia pseudotheobromae là chủng có sức sống mạnh nhất, do có khoảng pH, nhiệt độ ưa thích rộng (15 – 350C) và sinh trưởng thích hợp ở cả 4 loại môi trường là PDA, MEA, PCA và WA (water agar).
Nguồn: Tạp chí KH&CN Việt Nam