Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng Hall trong hố lượng tử và siêu mạng là luận án tiến sĩ của NCS. Bùi Đình Hợi, Đại học quốc gia Hà Nội. Các kết quả cho thấy, khả năng ứng dụng của hiệu ứng trong thực nghiệm để xác định các thông tin về cấu trúc vật liệu, chẳng hạn như khối lượng hiệu dụng, khoảng cách giữa các mức năng lượng và mật độ của các hạt tải... là rất tốt. Đây là cơ sở để chế tạo các linh kiện điện tử dựa trên các cấu trúc nano.

Những kết quả mới của luận án bao gồm: nghiên cứu hiệu ứng Hall trong hố lượng tử và siêu mạng bán dẫn bằng lý thuyết lượng tử khi đặt trong điện trường và từ trường vuông góc dưới ảnh hưởng của một sóng điện từ. Lần đầu tiên thiết lập phương trình động lượng tử cho electron trong hố lượng tử và siêu mạng khi đặt trong từ trường, điện trường không đổi và trường sóng điện từ. Thu được biểu thức giải tích cho tensor độ dẫn, từ trở, hệ số Hall phụ thuộc vào các trường ngoài và các thông số của vật liệu cho hai loại tương tác: tương tác electron - phonon âm và tương tác electron - phonon quang...

Các nghiên cứu liên quan đến luận án có thể được mở rộng theo một số hướng như: từ trường đặt theo hướng bất kỳ, xét ảnh hưởng của sự giam giữ phonon, xét quá trình hấp thụ, phát xạ nhiều photon...

Nguồn: Khoa học phổ thông, ngày 30/3/2015